h图文：图文介绍STM32L4读写内部flash

2024-04-22 22:04:33 0 0

型号：STM32L431KBU6；

该型号内存 = 128KB，起始地址 = 0x0800_0000;只有63页；

在L4的user manual手册的第三章详细介绍了FLASH的操作细节，我挑一些重要的信息；

flash擦除方式有两种：

1、Page erase—以页位单位擦除，1页=2K，每次最少擦除1页；

2、Mass erase—擦除整个flash；

比较重要的信息是flash的写操作只能是双字（double word，64bit），写完第一个字，再写第二个字。

下面贴出可用的代码：

第一步：定义相关变量：

uint32_t flashwriteaddr = 0x08008000; //定义写入数据的地址uint32_t pageError = 0;uint64_t flashwritedata = 0x0000000200000001;//要写入的数据，必须得是双字64bituint64_t flashreaddata = 0 ;FLASH_EraseInitTypeDef flash_erase; //定义一个结构体变量，里面有擦除操作需要定义的变量

关于这个写入数据的地址，不能瞎定义，千万别定义在程序存储的区域；

我是这样选的：先用ST-Link连接上mcu，看看我的程序占用了哪些空间。

从起始地址的0x08000000，到0x080025F0这个区间有数据，所以不能选择这个区域。所以就尽量往下选了个肯定安全的起始地址0x08008000；

第二步：解锁；

第三步：擦除；

第四步：写数据；

第五步：上锁；

经过这5步数据就写进去了。

具体代码：

HAL_FLASH_Unlock(); //第二步：解锁 flash_erase.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //擦除类型是“Page Erase”flash_erase.Page = 16; //擦除第16页flash_erase.NbPages = 2; //一次性擦除2页,可以是任意页HAL_FLASHEx_Erase(&flash_erase,&pageError); //第三步：参数写好后调用擦除函数HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, flashwriteaddr, flashwritedata);//第四步：写入数据HAL_FLASH_Lock(); //第五步：上锁flashreaddata = *(__IO uint64_t *)flashwriteaddr; //读出flash中的数据d1 = (flashreaddata>>32) & 0xFFFFFFFF;d2 = (flashreaddata)& 0xFFFFFFFF;printf("读出数据:%d %d\r\n",d1,d2);HAL_Delay(200);

flash_erase.Page =16的计算方法举例：

Page =（定义的起始地址 - 基地址）/ 2K；

e.g.（0x08008000 - 0x08000000）/ (2 * 1024) = 16;

读数据的方法只需一句话：

flashreaddata = *(__IO uint64_t *)flashwriteaddr;

因为L4的flash只能是双字，所以必须是：*(__IO uint64_t *)

如果可以操作单字，就可以写：*(__IO uint32_t *)

为了验证写入的数据：0x00000002_00000001是否正确，我把读出来的数据拆成了两个uint32_t变量，分别存储高32bit数据d1，和低32bit数据d2；

打印出来的数据是：